A.MOS控制晶闸管 MCT
B.静电感应晶体管SIT
C.静电感应晶闸管 SITH
D.集成门极换流晶闸管IGCT
A.最高电压Ucem
B.集电极最大电流 Icm
C.最大耗散功率 Pcm
D.一次击穿临界线
开始考试点击查看答案A.PNPN四层半导体结构
B.比普通晶闸管开通过程更快
C.导通过程与普通晶闸管完全不同
D.多元集成结构
开始考试点击查看答案A.晶闸管开通时间包括延迟时间和上升时间
B.维持电流IH为擎住电流的IL(2-4)倍
C.没有门极电流,如果电压上升率过大,也会使晶闸管误导通
D.晶闸管一旦导通,通过门极可以控制其关断
开始考试点击查看答案A.晶体闸流管
B.可控硅整流器
C.可控硅
D.电力晶体管
开始考试点击查看答案A.微分电容
B.势垒电容
C.扩散电容
D.滤波电容
开始考试点击查看答案A.GTO
B.GTR
C.MOSFET
D.IGBT
开始考试点击查看答案A.肖特基二极管
B.晶闸管
C.GTO
D.GTR
开始考试点击查看答案A.反向恢复时间比快恢复二极管短
B.开关损耗和正向导通损耗都比快速二极管还要小,效率高
C.多用于200V以下的低压场合,而且必须更严格地限制其工作温度
D.反向稳态损耗可以忽略
开始考试点击查看答案A.GTO
B.Power MOSFET
C.SCR
D.IGBT
开始考试点击查看答案A.高开关频率
B.高压核聚变装置
C.高压大功率
D.高压直流输电
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