A.GTO
B.GTR
C.MOSFET
D.IGBT
A.MOS控制晶闸管 MCT
B.静电感应晶体管SIT
C.静电感应晶闸管 SITH
D.集成门极换流晶闸管IGCT
开始考试点击查看答案A.最高电压Ucem
B.集电极最大电流 Icm
C.最大耗散功率 Pcm
D.一次击穿临界线
开始考试点击查看答案A.PNPN四层半导体结构
B.比普通晶闸管开通过程更快
C.导通过程与普通晶闸管完全不同
D.多元集成结构
开始考试点击查看答案A.晶闸管开通时间包括延迟时间和上升时间
B.维持电流IH为擎住电流的IL(2-4)倍
C.没有门极电流,如果电压上升率过大,也会使晶闸管误导通
D.晶闸管一旦导通,通过门极可以控制其关断
开始考试点击查看答案A.晶体闸流管
B.可控硅整流器
C.可控硅
D.电力晶体管
开始考试点击查看答案A.肖特基二极管
B.晶闸管
C.GTO
D.GTR
开始考试点击查看答案A.反向恢复时间比快恢复二极管短
B.开关损耗和正向导通损耗都比快速二极管还要小,效率高
C.多用于200V以下的低压场合,而且必须更严格地限制其工作温度
D.反向稳态损耗可以忽略
开始考试点击查看答案A.GTO
B.Power MOSFET
C.SCR
D.IGBT
开始考试点击查看答案A.高开关频率
B.高压核聚变装置
C.高压大功率
D.高压直流输电
开始考试点击查看答案A.GTR
B.门极可控晶闸管
C.按英文直译为巨型晶体管
D.BJT
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