A.短气隙
B.低气压
C.长气隙
D.高气压
A.无关
B.有很大关系
C.是具体情况定
D.相同
开始考试点击查看答案A.有关
B.无关
C.视具体情况定
D.可能有关
开始考试点击查看答案A.流注
B.离子崩
C.中子崩
D.导电道
开始考试点击查看答案A.水分
B.杂质
C.气泡
D.水珠
开始考试点击查看答案A.30HZ
B.50HZ
C.100HZ
D.150HZ
开始考试点击查看答案A.低,原因是崩头电子被正极性棒吸收, 有利于电子崩的发展
B.低,原因是崩头电子被正极性棒吸收, 有利于流柱的发展
C.高,原因是崩头电子被正极性棒吸收, 有利于电子崩的发展
D.高,原因是崩头电子被正极性棒吸收, 有利于流柱的发展
开始考试点击查看答案A.1.6us和50us
B.1.2us和52us
C.1.2us和50us
D.2.6us和50us
开始考试点击查看答案A.工频电压
B.直流电压
C.雷电冲击电压
D.操作冲击电压
开始考试点击查看答案A.沿面滑闪
B.沿面闪络
C.接地
D.短路
开始考试点击查看答案A.电压
B.温度
C.含水量
D.含气量
E.杂质的影响
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