A.1.6us和50us
B.1.2us和52us
C.1.2us和50us
D.2.6us和50us
A.低,原因是崩头电子被正极性棒吸收, 有利于电子崩的发展
B.低,原因是崩头电子被正极性棒吸收, 有利于流柱的发展
C.高,原因是崩头电子被正极性棒吸收, 有利于电子崩的发展
D.高,原因是崩头电子被正极性棒吸收, 有利于流柱的发展
开始考试点击查看答案A.短气隙
B.低气压
C.长气隙
D.高气压
开始考试点击查看答案A.无关
B.有很大关系
C.是具体情况定
D.相同
开始考试点击查看答案A.有关
B.无关
C.视具体情况定
D.可能有关
开始考试点击查看答案A.流注
B.离子崩
C.中子崩
D.导电道
开始考试点击查看答案A.工频电压
B.直流电压
C.雷电冲击电压
D.操作冲击电压
开始考试点击查看答案A.沿面滑闪
B.沿面闪络
C.接地
D.短路
开始考试点击查看答案A.电压
B.温度
C.含水量
D.含气量
E.杂质的影响
开始考试点击查看答案A.绝缘电阻
B.介质损耗角正切
C.工频高压试验
D.冲击高电压试验
开始考试点击查看答案A.波前时间
B.半波时间
C.波阻抗
D.波幅值
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