A.增大
B.减少
C.不变
D.无法比较
A.正确
B.错误
开始考试点击查看答案A.快速晶闸管
B.双向晶闸管
C.逆导晶闸管
D.光控晶闸管
开始考试点击查看答案A.1ms
B.2ms
C.3ms
D.4ms
开始考试点击查看答案A.导通电阻大,耐流水平低
B.单极性器件,开关频率kHz以上;
C.电压型驱动器件,驱动功率大;
D.通态电阻型正温度系数,对器件并联均流有利;
开始考试点击查看答案A.整流电路的多重连接方法可以提高位移因数
B.凡是负载电流的相位超前于负载电压的场合,都可以实现负载换流
C.所有的整流电路都可以实现有源逆变
D.以上叙述没有正确地
开始考试点击查看答案A.电压型
B.电流型
C.电阻性
开始考试点击查看答案A.
B.
C.
D.
开始考试点击查看答案A.正确
B.错误
开始考试点击查看答案A.90
B.120
C.150
D.180
开始考试点击查看答案A.将MOSFET与GTR的优点集于一身;
B.双极性器件,导通压降不高;
C.电压型驱动器件,开关频率较高;
D.正反向偏置安全工作区决定了其工作区域;
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