A.整流电路的多重连接方法可以提高位移因数
B.凡是负载电流的相位超前于负载电压的场合,都可以实现负载换流
C.所有的整流电路都可以实现有源逆变
D.以上叙述没有正确地
A.负载振荡式换流
B.强迫换流
C.可关断晶闸管换流
D.大功率晶体管换流
开始考试点击查看答案A.0°~90°
B.30*~120°
C.60-~150°
D.90°~150°
开始考试点击查看答案A.π-α
B.π+α
C.π-δ-α
D.π+δ-α
开始考试点击查看答案A.40ms
B.50ms
C.20ms
D.10ms
开始考试点击查看答案A.IGBT
B.MOSFET
C.GTR
D.GTO
开始考试点击查看答案A.导通电阻大,耐流水平低
B.单极性器件,开关频率kHz以上;
C.电压型驱动器件,驱动功率大;
D.通态电阻型正温度系数,对器件并联均流有利;
开始考试点击查看答案A.1ms
B.2ms
C.3ms
D.4ms
开始考试点击查看答案A.快速晶闸管
B.双向晶闸管
C.逆导晶闸管
D.光控晶闸管
开始考试点击查看答案A.正确
B.错误
开始考试点击查看答案A.增大
B.减少
C.不变
D.无法比较
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