下列器件中， (  )属于单极型器件。

试卷相关题目

• 1下面(  )属于晶闸管的派生器件。

  A.GTR

  B.双向晶闸管

  C.逆导晶闸管

  D.GTO

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• 2晶闸管导通的条件包括(  )。

  A.承受正向电压

  B.承受反向电压

  C.阳极有触发电流

  D.门极有触发电流

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• 3下列新型器件中，(  )是复合型器件。

  A.MCT

  B.SIT

  C.SITH

  D.IGCT

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• 4有关GTR 的二次击穿现象表述错误的是(   )。 

  A.GTR的安全工作区与其存在二次击穿现象有关

  B.GTR 的安全工作区就是二次击穿曲线

  C.虽然GTR存在二次击穿现象，但GTR的安全工作区与二次击穿现象无关

  D.GTR的安全工作区是矩形的

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• 5电力晶体管又叫(  )。

  A.双极结型晶体管

  B.GTR

  C.BJT

  D.GTO

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• 6下列器件中，(  )属于复合型器件。

  A.晶闸管

  B.IGBT

  C.电力MOSFET

  D.IGCT

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• 7电力电子器件的开关损耗包括(    )。

  A.通态损耗

  B.断态损耗

  C.开通损耗

  D.关断损耗

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• 8下面关于绝缘栅双极晶体管说法正确的有(   )。

  A.将 MOSFET与GTR的优点集于一身

  B.双极性器件，导通压降不高

  C.电压型驱动器件，开关频率较高

  D.正反向偏置安全工作区决定了其工作区域

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• 9下列哪些器件属于电流驱动器件。(   )

  A.电力场效应管

  B.绝缘栅双极型晶体管

  C.电力晶体管

  D.门极可关断晶闸管

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• 10IGBT 是由Power MOSFET和 GTR 复合而成，利用了(   )的优势。

  A.GTR开关速度快，所需驱动功率小且驱动电路简单

  B.PowerMOSFET开关速度快，所需驱动功率小且驱动电路简单一

  C.GTR具有电导调制效应，通流能力很强

  D.PowerMOSFET具有电导调制效应，通流能力很强

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