下面关于绝缘栅双极晶体管说法正确的有(   )。

试卷相关题目

• 1电力电子器件的开关损耗包括(    )。

  A.通态损耗

  B.断态损耗

  C.开通损耗

  D.关断损耗

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• 2下列器件中，(  )属于复合型器件。

  A.晶闸管

  B.IGBT

  C.电力MOSFET

  D.IGCT

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• 3下列器件中， (  )属于单极型器件。

  A.晶闸管

  B.肖特基二极管

  C.电力MOSFET

  D.SIT

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• 4下面(  )属于晶闸管的派生器件。

  A.GTR

  B.双向晶闸管

  C.逆导晶闸管

  D.GTO

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• 5晶闸管导通的条件包括(  )。

  A.承受正向电压

  B.承受反向电压

  C.阳极有触发电流

  D.门极有触发电流

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• 6下列哪些器件属于电流驱动器件。(   )

  A.电力场效应管

  B.绝缘栅双极型晶体管

  C.电力晶体管

  D.门极可关断晶闸管

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• 7IGBT 是由Power MOSFET和 GTR 复合而成，利用了(   )的优势。

  A.GTR开关速度快，所需驱动功率小且驱动电路简单

  B.PowerMOSFET开关速度快，所需驱动功率小且驱动电路简单一

  C.GTR具有电导调制效应，通流能力很强

  D.PowerMOSFET具有电导调制效应，通流能力很强

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• 8下列电力电子器件中，存在电导调制效应的是(   )。

  A.GTO

  B.GTR

  C.Power MOSFET

  D.IGBT

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• 9GTO 是全控型器件的原因是(    )。

  A.GTO采用多元集成结构

  B.门极和阴极之间的距离短

  C.导通时饱和程度较晶闸管低

  D.导通时饱和程度较晶闸管高

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• 10POWERMOSFET 的特点是(   )。

  A.电压驱动型

  B.驱动功率小

  C.只适用于小功率场合

  D.单极型

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