下列元器件中，（  ）属于半控型。

试卷相关题目

• 1下列元器件中，（ ）属于全控型。

  A.大功率晶体管

  B.绝缘栅场效应晶体管

  C.可关断晶闸管

  D.绝缘栅极双极型晶体管

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• 2普通晶闸管外部有三个电极，分别是（  ）。

  A.阳极

  B.阴极

  C.门极

  D.正极，负极

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• 3下列器件中不为全控型器件的是（  )。

  A.门极可控制晶闸管

  B.快速晶闸管

  C.光控晶闸管

  D.绝缘栅双极型晶体管

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• 4为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，恒流驱动电路经常采用（  ）

  A.du/dt抑制电路

  B.抗饱和电路

  C.di/dt抑制电路

  D.吸收电路

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• 5以下属于电流驱动的是有(   )。

  A.电力二极管

  B.晶闸管

  C.电力MOSFET

  D.IGBT

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• 6与处理信息的电子器件相比，电力电子器件的主要特点（ )。

  A.处理的主要是功率

  B.需要驱动电路

  C.有较大的功耗

  D.通常工作在开关状态

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• 7GTR工作时存在SOA，下列表述中与SOA含义不一致的是（  ）。

  A.线性放大区

  B.安全工作区

  C.饱和区

  D.截止区

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• 8IGBT的正向偏置安全工作区不能超过（ ）。

  A.二次击穿临界线

  B.最大集射极间电压

  C.最大集电极功耗确定

  D.最大集电极电流

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• 9关于电力MOSFET 的工作特性，下列叙述正确的是（  )。

  A.当漏源极间接正电压，栅极和源极间电压为零时，漏源极之间无电流流过

  B.只要在栅极和源极之间加一正电压 UGS，漏极和源极就能导电

  C.开关速度快，工作频率高

  D.与IGBT比较，电力MOSFET电流容量较小，耐压较低

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• 10关于智能功率模块，描述正确的是（ ）。

  A.简称 IPM

  B.也称智能 IGBT

  C.用于 MOSFET 的集成

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