A.处理的主要是功率
B.需要驱动电路
C.有较大的功耗
D.通常工作在开关状态
A.普通晶闸管
B.逆导晶闸管
C.双向晶闸管
D.可关断晶闸管
开始考试点击查看答案A.大功率晶体管
B.绝缘栅场效应晶体管
C.可关断晶闸管
D.绝缘栅极双极型晶体管
开始考试点击查看答案A.阳极
B.阴极
C.门极
D.正极,负极
开始考试点击查看答案A.门极可控制晶闸管
B.快速晶闸管
C.光控晶闸管
D.绝缘栅双极型晶体管
开始考试点击查看答案A.du/dt抑制电路
B.抗饱和电路
C.di/dt抑制电路
D.吸收电路
开始考试点击查看答案A.线性放大区
B.安全工作区
C.饱和区
D.截止区
开始考试点击查看答案A.二次击穿临界线
B.最大集射极间电压
C.最大集电极功耗确定
D.最大集电极电流
开始考试点击查看答案A.当漏源极间接正电压,栅极和源极间电压为零时,漏源极之间无电流流过
B.只要在栅极和源极之间加一正电压 UGS,漏极和源极就能导电
C.开关速度快,工作频率高
D.与IGBT比较,电力MOSFET电流容量较小,耐压较低
开始考试点击查看答案A.简称 IPM
B.也称智能 IGBT
C.用于 MOSFET 的集成
开始考试点击查看答案A.GTR
B.IGBT
C.MCT
D.晶闸管
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