试卷相关题目
- 1比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（）。
A.IGBT
B.MOSFET
C.GTR
D.CTO
开始考试点击查看答案 - 2比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（）。
A.IGBT
B.MOSFET
C.GTR
D.GTO
开始考试点击查看答案 - 3比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）。
A.IGBT
B.MOSFET
C.GTR
D.GTO
开始考试点击查看答案 - 4180度导电型三相逆变器中，任时期有（）个晶间管同时导通。
A.2
B.3
C.1
D.4
开始考试点击查看答案 - 5功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电源既变的现象称为（）。
A.一次击穿
B.三次击穿
C.临界他和
D.反向藏止
开始考试点击查看答案 - 6下列半导体器件中属于电流型控制的器件是（）。
A.IPM
B.MOSFET
C.IGBT
D.GTO
开始考试点击查看答案 - 7逆变电路输出频率较高时，电路单的开关元件应采用（）。
A.晶闸管
B.单结晶体管习
C.电力晶体管
D.绝缘栅双极型晶体管
开始考试点击查看答案 - 8电力场效应管MOSFET适于在（）条件下工作。
A.直流
B.低频
C.中频
D.高频
开始考试点击查看答案 - 9要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（）。自民中中居
A.在栅极加正电压;
B.在集电极加正电压
C.在栅极加负电压
D.在集电极加负电压
开始考试点击查看答案 - 10下列电力半导体器件电路符号中，表示GTR器件电路符号的是（）。
A.
B.
C.
D.
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