试卷相关题目
- 1电力场效应管MOSFET适于在（）条件下工作。
A.直流
B.低频
C.中频
D.高频
开始考试点击查看答案 - 2逆变电路输出频率较高时，电路单的开关元件应采用（）。
A.晶闸管
B.单结晶体管习
C.电力晶体管
D.绝缘栅双极型晶体管
开始考试点击查看答案 - 3下列半导体器件中属于电流型控制的器件是（）。
A.IPM
B.MOSFET
C.IGBT
D.GTO
开始考试点击查看答案 - 4比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的的是（）。
A.IGBT
B.MOSFET
C.GTR
D.GTO
开始考试点击查看答案 - 5比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（）。
A.IGBT
B.MOSFET
C.GTR
D.CTO
开始考试点击查看答案 - 6下列电力半导体器件电路符号中，表示GTR器件电路符号的是（）。
A.
B.
C.
D.
开始考试点击查看答案
- 7下列电力半导体器件电路符号中，表示MOSFET器件电路符号的是（）。
A.
B.
C.
D.
开始考试点击查看答案
- 8单结晶体管振荡电路是利用单结晶体管的（）工作特性设计的。
A.截止区
B.负阻区
C.饱和区
D.任意区域
开始考试点击查看答案 - 9在晶闸管直流电动机调速系统中，改变（）就能改变直流电动机的转速。
A.整流方式
B.晶闸管导通角
C.电源电压
D.电源频率
开始考试点击查看答案 - 10按逆变电路的（），分为全控型逆变电路和半控型逆变电路。
A.器件
B.输出电能
C.直流侧电源性质
D.电流波形
开始考试点击查看答案