下列电力半导体器件电路符号中，表示IgBT器件电路符号的是（）。

试卷相关题目

• 1双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（）个电极。

  A.一个

  B.两个

  C.三个

  D.四个

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• 2晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（）来表示的。

  A.有效值

  B.最大值

  C.平均值

  D.瞬时值

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• 3晶闸管在电路中的门极正向偏压（）越好。

  A.越大

  B.越小

  C.不变

  D.越稳定

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• 4晶闸管内部有（）个PN结。

  A.1

  B.2

  C.3

  D.4

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• 5三相全控桥式整流电路带大电感负载时，控门角α的有效移相范围是（）度。

  A.0°-90°

  B.30°-120°

  C.60°-150°

  D.90°-150°

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• 6变流器必须工作在α（）区域，才能进行逆变。

  A.>90°

  B.>0°

  C.<90°

  D.=0°

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• 7为了保证逆变能正常工作，变流器的逆变角不得小于（）。

  A.5°

  B.15°

  C.20°

  D.30°

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• 8当晶闸管承受反向阳极电压时着不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在（）。

  A.导通状态

  B.关断状态

  C.饱和状态

  D.不定

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• 9低频工作的电力电子器件，其功率损耗的主要原因是（）。

  A.通态损耗之

  B.断态损耗

  C.开通损耗

  D.关断损耗

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• 10普通晶闸管内部有（）PN结。

  A.一个

  B.二个

  C.三个

  D.四个

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