试卷相关题目
- 1低频工作的电力电子器件，其功率损耗的主要原因是（）。
A.通态损耗之
B.断态损耗
C.开通损耗
D.关断损耗
开始考试点击查看答案 - 2当晶闸管承受反向阳极电压时着不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在（）。
A.导通状态
B.关断状态
C.饱和状态
D.不定
开始考试点击查看答案 - 3为了保证逆变能正常工作，变流器的逆变角不得小于（）。
A.5°
B.15°
C.20°
D.30°
开始考试点击查看答案 - 4变流器必须工作在α（）区域，才能进行逆变。
A.>90°
B.>0°
C.<90°
D.=0°
开始考试点击查看答案 - 5下列电力半导体器件电路符号中，表示IgBT器件电路符号的是（）。
A.
B.
C.
D.
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- 6普通晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（）来表示的。
A.有效值
B.最大值
C.平均值
D.峰值
开始考试点击查看答案 - 7晶闸管导通的条件是（）。
A.阳极加正向电压，门极有正向脉冲
B.阳极加正向电压，门极有负向脉冲
C.阳极加反向电压，门极有正向脉冲
D.阳极加反向电压，门极有负向脉冲
开始考试点击查看答案 - 8晶闸管的伏安特性是指（）。
A.阳极电压与门极电流的关系
B.门极电压与门极电流的关系
C.阳极电压与阳极电流的关系
D.门极电压与阳极电流的关系
开始考试点击查看答案 - 9双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是:（）。
A.GTO
B.IGBT
C.GTR
D.MCT
开始考试点击查看答案 - 10造成在不加门极触发控制信号即使晶闸管从阻断状态转为导通状态的非正常转折有二种因素，一是阳极的电压上升率du/t太快，二是（）。
A.阳极电流上升太快
B.阳极电流过大
C.阳极电压过高
D.电阻过大
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