下列对晶闸管特性的叙述中，正确的是（）。

试卷相关题目

• 1下列关于三相桥式全控整流电路变压器二次侧电流的说法正确的是（ ）。

  A.该电流波形为正、负宽度各为120°的方波

  B.该电流中波形含有各奇次谐波

  C.该电流波形为正、负宽度各为180°的方波

  D.该电流中波形含有6k±1次谐波

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• 2使晶闸管关断的方法有（ ）。

  A.给门极施加反压

  B.去掉阳极的正向电压

  C.增大回路阻抗

  D.给阳极施加反压

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• 3下列电路中，不存在变压器直流磁化问题的有（ ）。

  A.单相全控桥整流电路

  B.单相全波可控整流电路

  C.三相全控桥整流电路

  D.三相半波可控整流电路

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• 4按照控制端和公共端之间信号的波形，可以将电力电子器件分为（ ）。

  A.电流触发型

  B.电压触发型

  C.电平控制型

  D.脉冲触发型

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• 5GBT是（）和（）的复合管。

  A.GTO

  B.GTR

  C.MOSFET

  D.SCR

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• 6下列电力电子器件电，存在电导调制效应的是（ ）。

  A.GTO

  B.GTR

  C.Power MOSFET

  D.IGBT

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• 7具有四层半导体结构的器件有（）。

  A.晶闸管

  B.GTO

  C.Power MOSFET

  D.GTR

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• 8GTO是全控型器件的原因是（）。

  A.GTO采用多元集成结构

  B.门极和阴极之间的距离短

  C.导通时饱和程度较晶闸管低

  D.导通时饱和程度较晶闸管高

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• 9POWER MOSFET的特点是（ ）。

  A.电压驱动型

  B.驱动功率小

  C.只适用于小功率场合

  D.单极型

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• 10关于电力电子器件的描述，下 列说法中不正确的有（ ）。

  A.一般通过施加反压的方法来让晶闸管关断

  B.GTO的额定电流定义为“最大可关断阳极电流”

  C.MOSFET工作在饱和区和截止区

  D.IGBT工作在非饱和区和正向阻断区

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