POWER MOSFET的特点是（ ）。

试卷相关题目

• 1GTO是全控型器件的原因是（）。

  A.GTO采用多元集成结构

  B.门极和阴极之间的距离短

  C.导通时饱和程度较晶闸管低

  D.导通时饱和程度较晶闸管高

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• 2具有四层半导体结构的器件有（）。

  A.晶闸管

  B.GTO

  C.Power MOSFET

  D.GTR

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• 3下列电力电子器件电，存在电导调制效应的是（ ）。

  A.GTO

  B.GTR

  C.Power MOSFET

  D.IGBT

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• 4下列对晶闸管特性的叙述中，正确的是（）。

  A.晶闸管属于电流驱动双极型器件

  B.晶闸管触发导通后，门极就失去了控制作用

  C.晶闸管具有单向导龟性要

  D.晶闸管的擎住电流大于维持电流

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• 5下列关于三相桥式全控整流电路变压器二次侧电流的说法正确的是（ ）。

  A.该电流波形为正、负宽度各为120°的方波

  B.该电流中波形含有各奇次谐波

  C.该电流波形为正、负宽度各为180°的方波

  D.该电流中波形含有6k±1次谐波

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• 6关于电力电子器件的描述，下 列说法中不正确的有（ ）。

  A.一般通过施加反压的方法来让晶闸管关断

  B.GTO的额定电流定义为“最大可关断阳极电流”

  C.MOSFET工作在饱和区和截止区

  D.IGBT工作在非饱和区和正向阻断区

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• 7关于三相电压型桥式逆变电路的说法，正确的是（ ）。

  A.其直流侧可以看做一个直流电压源

  B.同一个桥臂上下两管可以同时导通

  C.每个开关器件导通180°

  D.其负载相电压中不含3次谐波

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• 8衡量PWM控制方法优劣的标志有（ ）。

  A.输出波形中谐波的含量

  B.输出电压的幅值日

  C.直流电压的利用率

  D.器件开关次数

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