关于三相电压型桥式逆变电路的说法，正确的是（ ）。

试卷相关题目

• 1关于电力电子器件的描述，下 列说法中不正确的有（ ）。

  A.一般通过施加反压的方法来让晶闸管关断

  B.GTO的额定电流定义为“最大可关断阳极电流”

  C.MOSFET工作在饱和区和截止区

  D.IGBT工作在非饱和区和正向阻断区

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• 2POWER MOSFET的特点是（ ）。

  A.电压驱动型

  B.驱动功率小

  C.只适用于小功率场合

  D.单极型

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• 3GTO是全控型器件的原因是（）。

  A.GTO采用多元集成结构

  B.门极和阴极之间的距离短

  C.导通时饱和程度较晶闸管低

  D.导通时饱和程度较晶闸管高

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• 4具有四层半导体结构的器件有（）。

  A.晶闸管

  B.GTO

  C.Power MOSFET

  D.GTR

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• 5下列电力电子器件电，存在电导调制效应的是（ ）。

  A.GTO

  B.GTR

  C.Power MOSFET

  D.IGBT

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• 6衡量PWM控制方法优劣的标志有（ ）。

  A.输出波形中谐波的含量

  B.输出电压的幅值日

  C.直流电压的利用率

  D.器件开关次数

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