A.
B.
C.
D.
A.Power
B.iode;
C.PowerMOSFET;
D.IGBT;
E.GTR:
开始考试点击查看答案A.半控型器件;
B.双极性;
C.电流驱动;
D.全控器件;
开始考试点击查看答案A.正确
B.错误
开始考试点击查看答案A.
B.
C.
D.
开始考试点击查看答案A.晶闸管;
B.功率场效应晶体管;
C.绝缘栅双极型晶体管;
D.电力晶体管
开始考试点击查看答案A.导通电阻大,耐流水平低
B.单极性器件,开关频率kHz以上;
C.电压型驱动器件,驱动功率大;
D.通态电阻星正温度系数,对器件并联均流有利;
开始考试点击查看答案A.任一时刻,负载电压可能是线电压的一半,或者为相电压,或者为零;
B.触发延迟角为30°时,一个晶闸管的导通角为150°,负载电流连续;
C.触发延迟角在30°~60°之间时候,晶闸管因承受反压而关断;
D.触发延迟角为120°时,晶闸管因为其流通电流降低为0而关断;
开始考试点击查看答案A.维持电流;
B.导通电流;
C.擎住电流:
D.额定电流;
开始考试点击查看答案A.将MOSFET与GTR的优点集于一身;
B.双极性器件,导通压降不高;
C.电压型驱动器件,开关频率较高;
D.正反向偏置安全工作区决定了其工作区域;
开始考试点击查看答案长理培训客户端 资讯,试题,视频一手掌握
去 App Store 免费下载 iOS 客户端