下面关于三相交流调压电路说法正确的是（）

试卷相关题目

• 1下面关于功率场效应晶体管说法正确的是（）

  A.导通电阻大，耐流水平低

  B.单极性器件，开关频率kHz以上;

  C.电压型驱动器件,驱动功率大;

  D.通态电阻星正温度系数,对器件并联均流有利;

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• 2下面器件中定性分析，开关速度最快的是（）

  A.晶闸管;

  B.功率场效应晶体管;

  C.绝缘栅双极型晶体管;

  D.电力晶体管

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• 3下面器件只能控制其开通不能控制其关断的是（）

  A.

  B.

  C.

  D.

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• 4下面器件中定性分析，导通管压降最高的是（）

  A.Power

  B.iode;

  C.PowerMOSFET;

  D.IGBT;

  E.GTR:

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• 5晶闸管属于（）。

  A.半控型器件;

  B.双极性;

  C.电流驱动;

  D.全控器件;

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• 6晶闸管的阳极电流降低到（）后，晶闸管就关断了。

  A.维持电流;

  B.导通电流;

  C.擎住电流:

  D.额定电流;

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• 7下面关于绝缘栅双极晶体管说法正确的有（）

  A.将MOSFET与GTR的优点集于一身;

  B.双极性器件，导通压降不高;

  C.电压型驱动器件，开关频率较高;

  D.正反向偏置安全工作区决定了其工作区域;

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• 8面GTR最高电压额定值描述正确的是（）

  A.大小与基极回路的接线方法有关;

  B.为击穿电压;

  C.取各种接线方式中击穿电压最低值为额定值;.

  D.实际应用中，最高工作电压应低于额定值。

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• 9晶闸管的阳极电流小于维持电流时晶闸管就可以关断。（）

  A.正确

  B.错误

  C.空

  D.空

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• 10下面器件不存在电导调制效应的是（）

  A.Power

  B.iode;

  C.PowerMOSFET

  D.IGBT;

  E.GTR;

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