放射医学主管技师_CR、DR成像原理

试卷预览

• 31多丝正比电离室探测器是

  A.直接探测器

  B.间接探测器

  C.模拟探测器

  D.平板探测器

  E.动态探测器

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• 32Konica CR系统照射量1mR时对应的S值为200，2mR对应的S值是

  A.400

  B.200

  C.100

  D.50

  E.10

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• 33关于CR的工作原理，正确的是

  A.IP由基层、荧光体层和保护层构成

  B.IP由基层、晶体层构成

  C.IP用于检测图像数据

  D.IP用于存储图像数据

  E.IP用于传输图像数据

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• 34关于平板探测器的叙述，错误的是

  A.有直接转换型和间接转换型

  B.其极限分辨率比屏/片系统低

  C.其MTF比屏/片系统低

  D.其DQE比屏/片系统高

  E.DQE比CR系统高

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• 35屏/片系统成像与数字平板X线摄影的共同之处是

  A.图像存储

  B.成像能源

  C.转换介质

  D.成像方式

  E.传输方式

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• 36CR与DR系统应用比较，相同点是

  A.成像方式

  B.操作方式

  C.床旁摄影

  D.可应用于常规摄影

  E.与常规X线设备匹配

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• 37应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是

  A.硒鼓检测器

  B.IP成像转换器

  C.直接转换平板探测器

  D.间接转换平板探测器

  E.多丝正比室检测器

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• 38从X线到影像按“潜影→可见光→数字影像”这—程序转换的是

  A.Ⅱ+TV摄像机

  B.成像板

  C.闪烁体+CCD摄像机阵列

  D.直接转换平板探测器

  E.间接转换平板探测器

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• 39FPD能够成为平板形状，主要是探测器的单元阵列采用的是

  A.薄膜晶体管技术

  B.光敏照相机技术

  C.光电倍增管技术

  D.光激励发光技术

  E.非晶硒技术

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• 40间接DR中，位于FPD顶层的是

  A.非晶硒

  B.碘化铯

  C.钨酸钙

  D.非晶硅

  E.CCD

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