试卷预览
- 31要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（）。
A.在栅极加正电压
B.在集电极加正电压
C.在栅极加负电压
D.在集电极加负电压
开始考试练习点击查看答案 - 32IGBT是一个复合型的器件，它是（）。
A.GTR 驱动的 MOSFET
B.MOSFET 驱动的 GTR
C.MOSFET驱动的晶闸管
D.MOSFET 驱动的 GTO
开始考试练习点击查看答案 - 33晶闸管的临界导通条件为（）
A.
B.
C.
D.
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- 34电导调制效应对半导体器件的影响不包括（)
A.通态压降降低
B.通态损耗下降
C.关断时间延长
D.开关损耗下降
开始考试练习点击查看答案 - 35维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于（）
A.维持电流
B.擎住电流
C.额定电流
D.关断电流
开始考试练习点击查看答案 - 36下列器件中，没有电导调制效应的器件为（）
A.IGBT
B.GTR
C.GT0
D.电力 M0SFET
开始考试练习点击查看答案 - 37晶闸管额定电流描述正确的是：（）
A.允许流过最大工频正弦半波电流的有效值。
B.允许流过最大工频正弦半波电流的最大值。
C.允许流过最大工频正弦半波电流的平均值。
D.允许流过最大方波电流的平均值。
开始考试练习点击查看答案 - 38工频正弦半波电流的波形系数为（）
A.0.45
B.0.9
C.1.57
D.11
开始考试练习点击查看答案 - 39关于MOSFET的开关速度，表述正确的是（）。
A.MOSFET不存在少子储存效应，开通关断过程非常迅速
B.MOSFE是场控器件，静态时几乎不需输入电流，开通关断过程时间长
C.MOSFET是场控器件，静态时需输入大电流，开通关断过程时间长
D.MOSFE是场控型和双极型器件，开关速度快
开始考试练习点击查看答案 - 40下列哪些电路属于电力电子器件在实际应用中的系统组成部分。（）
A.控制电路
B.检测电路
C.驱动电路
D.主电路
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