试卷预览
- 81
下列选项属于MOSFET的特点有（）。
A.开关速度快
B.驱动频率髙
C.电压高
D.驱动功率小
开始考试练习点击查看答案 - 82
MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区.饱和区.非饱和区分别对应后者的（）。
A.不饱和区
B.放大区
C.饱和区
D.有源区
开始考试练习点击查看答案 - 83晶闸管的开通过程中，下列说法正确的是（ X
A.延迟时间
为门极电流阶跃开始到阳极电流上升至稳态值的10%。B.延迟时间随门极电流的增大而减小。
C.上升时间
为阳极电流从10%上升至稳态值的90%所用时间。D.降低阳极电压，延迟时间和上升时间都可显著缩短
开始考试练习点击查看答案 - 84在电力电子器件的应用中，附加各种缓冲电路的目的包括（.）。
A.降低 du/dt 和 di/dt
B.减少器件的开关损耗
C.避免器件损坏
D.减少浪涌电压
开始考试练习点击查看答案 - 85为避免三次谐波注入电网，晶闸管整流电路中的整流变压器应釆用Y/Y接法（）
A.正确
B.错误
开始考试练习点击查看答案 - 86对低电压大电流的负载供电，应该用带平衡电抗器的双反星型可控整流装置。（）
A.正确
B.错误
开始考试练习点击查看答案 - 87三相半波可控整流电路的最大移相范围是0°〜180°。（）
A.正确
B.错误
开始考试练习点击查看答案 - 88三相全控桥式整流电路带电阻负载时的移相范围是150°。（）
A.正确
B.错误
开始考试练习点击查看答案 - 89单相半波可控整流电路属单脉波整流电路。（）
A.正确
B.错误
开始考试练习点击查看答案 - 90整流电路按电路组成器件可分为单相和多相两类。（）
A.正确
B.错误
开始考试练习点击查看答案