试卷预览
- 11三相桥式可控整流电路， 电感性负载，控制角α≤3 0°,每个周期内输出电压的平均值为( )。
A.Ud=0.45U2cosα
B.Ud=0.9U2cosα
C.Ud=1.17U2cosα
D.Ud=2.34U2cosα
开始考试练习点击查看答案 - 12三相桥式或全控整流电路，同一相所接的两只晶闸管触发脉冲之间的相位差是( D )。
A.60º
B.120
º C.150
º D.180
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º - 13单相桥式全控整流电路带电阻负载工作时（ )。
A.晶闸管承受的最大正向电压为
B.晶闸管承受的最大反向电压分别为和
C.晶闸管α角的移相范围为180°
D.晶闸管α角的移相范围为 90°
开始考试练习点击查看答案 - 14三相桥式全控整流电路的特点包括（ )。
A.每个时刻均需2个晶闸管同时导通
B.同一相的两个晶闸管不能同时导通
C.整流输出电压Ud一周期脉动6次
D.三相桥式全控整流电路常用的是宽脉冲触发方式
开始考试练习点击查看答案 - 15PN结的结电容按其产生机制和作用的差别，可以分为( )。
A.微分电容
B.势垒电容
C.扩散电容
D.滤波电容
开始考试练习点击查看答案 - 16晶闸管的名称，又可以是( )。
A.晶体闸流管
B.可控硅整流器
C.可控硅
D.电力晶体管
开始考试练习点击查看答案 - 17下列说法正确的是：（ )。
A.晶闸管开通时间包括延迟时间和上升时间
B.维持电流IH为擎住电流的IL（2-4）倍
C.没有门极电流，如果电压上升率过大，也会使晶闸管误导通
D.晶闸管一旦导通，通过门极可以控制其关断
开始考试练习点击查看答案 - 18关于GTO特性的描述正确的是：（ ）。
A.PNPN四层半导体结构
B.比普通晶闸管开通过程更快
C.导通过程与普通晶闸管完全不同
D.多元集成结构
开始考试练习点击查看答案 - 19 GTR的安全工作区不能超过（ ）。
A.最高电压Ucem
B.集电极最大电流 Icm
C.最大耗散功率 Pcm
D.一次击穿临界线
开始考试练习点击查看答案 - 20除了常用的电力电子器件，其他新型电力电子器件主要包括（ )。
A.MOS控制晶闸管 MCT
B.静电感应晶体管SIT
C.静电感应晶闸管 SITH
D.集成门极换流晶闸管IGCT
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