如图，导体AB在做切割磁感线运动时，将产生一个电动势，因而在电路中有电流通过，下列说法中正确的是（  ）

试卷相关题目

• 1如图所示，矩形金属框置于匀强磁场中，ef为一导体棒，可在ab和cd间滑动并接触良好；设磁感应强度为B，ef长为L，在Δt时间内向左匀速滑过距离Δd，由电磁感应定律E=n可知，下列说法正确的是  （      ）（      ） 

  A.当ef向左滑动时，左侧面积减少L·Δd，右侧面积增加L·Δd，因此E=2BLΔd/Δt

  B.当ef向左滑动时，左侧面积减小L·Δd，右侧面积增大L·Δd，互相抵消，因此E=0

  C.在公式E=n中，在切割情况下，ΔΦ=B·ΔS，ΔS应是导线切割扫过的面积，因此E=BLΔd/Δt

  D.在切割的情况下，只能用E=BLv计算，不能用E=n计算

  开始考试点击查看答案
• 2不定项选择 根据法拉第电磁感应定律的数学表达式，电动势的单位V可以表示为（   ）

  A.T/s

  B.Wb/s

  C.T·m2/s

  D.Wb·m2/s

  开始考试点击查看答案
• 3如图所示，空间存在两个磁场，磁感应强度大小均为B，方向相反且垂直纸面，MN、PQ为其边界，OO′为其对称轴．一导线折成边长为l的正方形闭合回路abcd，回路在纸面内以恒定速度v 0向右运动，当运动到关于OO′对称的位置时(  )

  A.穿过回路的磁通量为零

  B.回路中感应电动势大小为2Blv0

  C.回路中感应电流的方向为顺时针方向

  D.回路中ab边与cd边所受安培力方向相同

  开始考试点击查看答案
• 4霍尔式位移传感器的测量原理如图所示，有一个沿z轴方向均匀变化的匀强磁场，磁感应强度B=B 0+kz(B 0、k均为常数)。将霍尔元件固定在物体上，保持通过霍尔元件的电流I不变(方向如图9所示)，当物体沿z轴正方向平移时，由于位置不同，霍尔元件在y轴方向的上、下表面的电势差U也不同。则    (    )

  A.磁感应强度B越大，上、下表面的电势差U越大

  B.k越大，传感器灵敏度()越高

  C.若图中霍尔元件是电子导电，则下板电势高

  D.电流越大，上、下表面的电势差U越小

  开始考试点击查看答案
• 5如图为单匝线圈面积为S磁感强度为B匀强磁场中匀速转动，感应电动势e=Emsinwt，将线圈的转速提高一倍其他条件不变则电动势的表达式为（   ）

  A.e=Emsinωt

  B.e=2Emsin2ωt

  C.e=2Emsinωt

  D.e=Emsin2ωt

  开始考试点击查看答案
• 6截面面积为S的螺线管置于匀强磁场中，磁场沿管轴方向，螺线管由N匝线圈绕成，绕圈的两端接在电容为C的某电容两极上，磁场的磁感应强度B0(0≤t≤t0)，B=B0-k(t-t0)(t≥t0)，则（  ）

  A.t=0时，螺线管的磁通为NB0S

  B.t=0时，螺线管的磁通为B0S

  C.t=B0/K+t0时，电容的电压为0

  D.t=B0/K+t0+t0时，电容的电压为NSK

  开始考试点击查看答案
• 7一个闭合电路产生的感应电动势较大，是因为穿过这个闭合电路的

  A.磁感应强度大

  B.磁通量较大

  C.磁通量的变化较快

  D.磁通量的变化量大

  开始考试点击查看答案
• 8如图所示，一导线弯成半径为a的半圆形闭合回路。虚线MN右侧有磁感应强度为B的匀强磁场。方向垂直于回路所在的平面。回路以速度v向右匀速进入磁场，直径CD始络与MN垂直。从D点到达边界开始到C点进入磁场为止，下列结论正确的是（  ）  

  A.感应电流方向不变

  B.CD段直线始终不受安培力

  C.感应电动势最大值E＝Bav

  D.感应电动势平均值

  开始考试点击查看答案
• 9如图所示，空间存在两个磁场，磁感应强度大小均为B，方向相反且垂直纸面，MN、PQ为其边界OO"为其对称轴。一导线折成边长为l的正方形闭合线框abcd，线框在外力作用下由纸面内图示位置从静止开始向右做匀加速运动，若以逆时针方向为电流的正方向，则从线框开始运动到曲边刚进入到PQ右侧磁场的过程中，能反映线框中感应电流随时间变化规律的图象是 （  ）

  A.

  B.

  C.

  D.

  开始考试点击查看答案
• 10某同学用粗细均匀的同一种导线制成“9”字形线框，放在有理想边界的匀强磁场旁，磁感应强度为B，如图所示，已知磁场的宽度为2d，ab=bc=cd=da=ce=ef=d，导线框从紧靠磁场的左边界以速度v向x轴的正方向匀速运动，设U0=Bdv。在下图中最能体现be两点间的电压随坐标x变化关系的图象是 （  ）

  A.

  B.

  C.

  D.

  开始考试点击查看答案