【2012?武汉联考】-最需题库

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1如图所示，匀强磁场的方向垂直于电路所在平面，导体棒ab与电路接触良好．当导体棒ab在外力F作用下从左向右做匀加速直线运动时，若不计摩擦和导线的电阻，整个过程中，灯泡L未被烧毁，电容器C未被击穿，则该过程中( )
A.感应电动势将变大
B.灯泡L的亮度变大
C.电容器C的上极板带负电
D.电容器两极板间的电场强度将减小
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2矩形导线框abcd放在匀强磁场中，在外力控制下处于静止状态，如图甲所示。磁感应强度方向与导线框所在平面垂直，磁感应强度B随时间变化的图象如图乙所示，t=0时刻，磁感应强度的方向垂直导线框平面向里，在0～4s时间内，导线框ad边所受安培力随时间变化的图象（规定以向左为安培力正方向）可能是下列选项中的 ( )
A.
B.
C.
D.
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3如图甲所示，n=50匝的圆形线圈M，它的两端点b与内阻很大的电压表相连，线圈中磁通量的变化规律如图乙所示，则b两点的电势高低与电压表的读数为( )
A.φa>φb，20 V
B.φa>φb，10 V
C.φa<φb，20 V
D.φa<φb，10 V
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4一线圈匝数为n=10匝，线圈电阻不计，在线圈外接一个阻值R=2.0Ω的电阻，如图甲所示。线圈内有垂直纸面向里的磁场，线圈内磁通量φ随时间t变化的规律如图乙所示。下列说法正确的是 ( )
A.线圈中产生的感应电动势为10V
B.R两端电压为5V
C.通过R的电流方向为a→b
D.通过R的电流大小为2.5A
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5矩形线框abcd在匀强磁场中静止不动，磁场方向与线框平面垂直，磁感应强度B随时间t变化的图像如图乙所示。设t=0时刻，磁感应强度的方向垂直纸面向里，则在0-4s时间内，下图中能正确表示线框ab边所受的安培力F随时间t变化的图像是（规定ab边所受的安培力方向向左为正，线框各边间相互作用的磁场力忽略不计）( )
A.
B.
C.
D.
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6一个面积S=4×10m、匝数n=100匝的线圈，放在匀强磁场中，磁场方向垂直平面，磁感应强度的大小随时间变化规律如图3所示，由图可知 ( )
A.在开始2秒内穿过线圈的磁通量的变化率等于0.08Wb/s
B.在开始2秒内穿过线圈的磁通量的变化量等于零
C.在开始2秒内线圈中产生的感应电动势等于8V
D.在第3秒末感应电动势为零
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7两金属棒和三根电阻丝如图连接，虚线框内存在均匀变化的匀强磁场，三根电阻丝的电阻大小之比R1∶R2∶R3＝1∶2∶3，金属棒电阻不计．当S1、S2闭合，S3断开时，闭合的回路中感应电流为I，当S2、S3闭合，S1断开时，闭合的回路中感应电流为5I，当S1、S3闭合，S2断开时，闭合的回路中感应电流是：( )
B.3I
C.6I
D.7I
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8在竖直向上的匀强磁场中，水平放置一个不变形的单匝金属圆线圈，线圈所围的面积为0.1 m2，线圈电阻为1 Ω。规定线圈中感应电流I的正方向从上往下看是顺时针方向，如图甲所示。磁场的磁感应强度B随时间t的变化规律如图乙所示，则下列说法正确的是( )
A.在时间0～5 s内，I的最大值为0.1 A
B.在第4s时刻，I的方向为逆时针
C.前2s内，通过线圈某截面的总电量为0.01 C
D.第3s内，线圈的发热功率最大
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9等离子气流由左方连续以v0射入P1和P2两板间的匀强磁场中，ab直导线与P1、P2相连接，线圈A与直导线cd连接。线圈A内有随图乙所示的变化磁场。且磁场B的正方向规定为向左，如图甲所示，则下列说法正确的是 ( )
A.0～1s内ab、cd导线互相排斥
B.1～2s内ab、cd导线互相排斥
C.2～3s内ab、cd导线互相排斥
D.3～4s内ab、cd导线互相排斥
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10如图所示，竖直面内的虚线上方是一匀强磁场B，从虚线下方竖直上抛一正方形线圈，线圈越过虚线进入磁场，最后又落回到原处，运动过程中线圈平面保持在竖直面内，不计空气阻力，则 ( )
A.上升过程克服磁场力做的功大于下降过程克服磁场力做的功
B.上升过程克服磁场力做的功等于下降过程克服磁场力做的功
C.上升过程克服重力做功的平均功率大于下降过程中重力的平均功率
D.上升过程克服重力做功的平均功率等于下降过程中重力的平均功率
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