如图导体ab在宽度d=0.2m的金属导轨上运动的速度随时间变化关系 ，导轨内匀强磁场的磁感强度为B=1T，电阻R=20Ω，其余电阻均不计，从t=0开始计时，则（   ）

试卷相关题目

• 1如图所示，圆环a和圆环b的半径之比为2∶1，两环用同样粗细、同种材料制成的导线连成闭合回路，连接两环的导线电阻不计，匀强磁场的磁感应强度变化率恒定.则在b环分别单独置于磁场中的两种情况下，M、N两点的电势差之比为(       )

  A.4∶1

  B.1∶4

  C.2∶1

  D.1∶2

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• 2如图甲所示，正三角形导线框 放在匀强磁场中静止不动，磁场方向与线框平面垂直，磁感应强度B随时间 的变化关系如图乙所示， 时刻，磁感应强度的方向垂直纸面向里，下列说法正确的是（       ）

  A.0至感应电流的方向为边受力方向向左

  B.和时刻边受到的安培力大小相等，方向相反

  C.时回路中感应电流为零，受到的安培也为零

  D.任何时刻导线框受到的安培力都为零

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• 3如图所示，将一根绝缘硬金属导线弯曲成—个完整的正弦曲线形状，它通过两个小金属环b与长直金属杆导通，在外力F作用下，正弦形金属线可以在杆上无摩擦滑动。杆的电阻不计，导线电阻为R，ab间距离为2L，导线组成的正弦图形顶部或底部到杆距离都是L／2。在导线和杆平面内有一有界匀强磁场区域，磁场的宽度为2L，磁感应强度为B。现在外力F作用下导线沿杆以恒定的速度v向右运动，在运动过程中导线和杆组成的平面始终与磁场垂直。t="0" 时刻导线从O点进入磁场，直到全部穿过磁场，外力F所做功为（   ）

  A.

  B.

  C.

  D.

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• 4如图11所示，把金属圆环匀速拉出磁场，下面叙述正确的是（   ）

  A.向左拉出和向右拉出所产生的感应电流方向相反

  B.不管向什么方向拉出，只要产生感应电流方向都是顺时针

  C.向右匀速拉出时，感应电流大小不变

  D.要将金属环匀速拉出，拉力大小要改变

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• 5如图4所示，两水平放置的平行金属板M、N放在匀强磁场中，导线ab贴着M、N边缘以速度V向右匀速滑动，当一带电粒子以水平速度V 0射入两板间后，能保持匀速直线运动，该带电粒子可能：（       ）

  A.带正电、速度方向向左

  B.带负电、速度方向向左

  C.带正电、速度方向向右

  D.带负电、速度方向向右

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• 6如图所示：足够长的水平U型不光滑金属导轨，其中MN与PQ平行且间距为L，磁感应强度为B的匀强磁场竖直向上，导轨电阻不计。一金属棒质量为m，与导轨间的动摩擦因数为 ，在拉力F作用下开始运动，并与两导轨始终保持垂直且良好接触，ab棒电阻为R，当流过ab棒某一横截面的电量为q时，棒的速度大小为v，则金属棒ab在这一过程中        （    ）

  A.运动的平均速度大小为

  B.位移大小为

  C.产生的电热能为

  D.最终金属棒运动的最大速度为

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• 7（2011·四川理综·T20）如图所示，在匀强磁场中匀速转动的矩形线圈的周期为T,转轴O1O2垂直于磁场方向，线圈电阻为2 .从线圈平面与磁场方向平行时开始计时，线圈转过60°时的感应电流为1

  A.那么（ ） A.线圈消耗的电功率为4W

  B.线圈中感应电流的有效值为2A

  C.任意时刻线圈中的感应电动势为e = 4cos

  D.任意时刻穿过线圈的磁通量为 = sin

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• 8如图所示，在匀强磁场中匀速转动的矩形线圈的周期为T,转轴O 1O 2垂直于磁场方向，线圈电阻为2 。从线圈平面平行磁场方向平行时开始计时，线圈转过60°时的感应电 流为1A。那么 （       ）

  A.线圈消耗的电功率为8W

  B.线圈中感应电流的有效值为2A

  C.任意时刻穿过线圈的磁通量为 = sin

  D.任意时刻线圈中的感应电动势为e=4cos

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• 9如图3所示，两光滑平行金属导轨间距为L，直导线MN垂直跨在导轨上，且与导轨接触良好，整个装置处于垂直纸面向里的匀强磁场中，磁感应强度为B.电容器的电容为C，除电阻R外，导轨和导线的电阻均不计．现给导线MN一初速度，使导线MN向右运动，当电路稳定后，MN以速度v向右做匀速运动，则（       ）   

  A.电容器两端的电压为零

  B.电阻两端的电压为BLv

  C.电容器所带电荷量为CBLv

  D.为保持MN匀速运动，需对其施加的拉力大小为

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• 10如图所示，竖直放置的平行光滑金属导轨（电阻不计)，上端接一阻值为R的电阻，电阻值为2R的金属棒ab与导轨接触良好，整个装置处在垂直导轨平面向外的匀强磁场中。将金属棒ab由静止释放，当金属棒的速度为v时，电阻上的电功率为P，则此时（   ）

  A.重力功率可能为P

  B.重力功率可能为3P

  C.安培力大小为P/v

  D.安培力大小为3P/v

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