在三相桥式全控整流电路中，负载电感足够大，则变压器二次侧相电流中不含（ ）次谐波？

试卷相关题目

• 1下列选项中属于间接全桥直流变流电路的缺点有（ ）。

  A.结构复杂

  B.成本高

  C.有直通问题，可靠性低

  D.需要复杂的多组隔离驱动电路

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• 2强迫换流从耦合方式上来看分为（ ）。

  A.直接耦合式

  B.电感耦合式

  C.间接耦合式

  D.电容耦合式

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• 3交变频电路与交直交变频电路相比，缺点有（ ）。

  A.接线复杂

  B.输出频率较低

  C.输入功率因数较低

  D.输入电流谐波含量大

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• 4使晶闸管关断的方法有（ ）。

  A.给门极施加反压

  B.去掉阳极的正向电压

  C.增大回路阻抗

  D.给阳极施加反压

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• 5下列电路中，不存在变压器直流磁化问题的有（ ）。

  A.单相全控桥整流电路

  B.单相全波可控整流电路

  C.三相全控桥整流电路

  D.三相半波可控整流电路

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• 6在我国的传统高压直流输电中，通常采用把2组三相桥式全控整流电路相位错开（ ）度，进行串联二重连接，组成（ ）脉波整流电路。

  A.20度

  B.30度

  C.6

  D.12

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• 7下列哪些电力电子器件是电平控制型的？ （ ）

  A.SCR

  B.GTR

  C.Power MOSFET

  D.IGBT

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• 8下列哪些电力电子器件是少子器件？ （ ）

  A.肖特基二极管

  B.晶闸管

  C.电力晶体管

  D.绝缘栅型电力场效应晶体管

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• 9晶闸管的非正常触发方式有（ ）。

  A.阳极电压升高造成雪崩效应

  B.门极电流触发

  C.光触发

  D.结温过高而触发

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• 10IGBT可以视为（ ） 和（省）按照达林顿结构组合而成的复合体。

  A.SCR

  B.GTR

  C.GTO

  D.Power MOSFET

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