A.SCR
B.GTR
C.Power MOSFET
D.IGBT
A.20度
B.30度
C.6
D.12
开始考试点击查看答案A.3
B.5
C.6
D.7
开始考试点击查看答案A.结构复杂
B.成本高
C.有直通问题,可靠性低
D.需要复杂的多组隔离驱动电路
开始考试点击查看答案A.直接耦合式
B.电感耦合式
C.间接耦合式
D.电容耦合式
开始考试点击查看答案A.接线复杂
B.输出频率较低
C.输入功率因数较低
D.输入电流谐波含量大
开始考试点击查看答案A.肖特基二极管
B.晶闸管
C.电力晶体管
D.绝缘栅型电力场效应晶体管
开始考试点击查看答案A.阳极电压升高造成雪崩效应
B.门极电流触发
C.光触发
D.结温过高而触发
开始考试点击查看答案A.SCR
B.GTR
C.GTO
D.Power MOSFET
开始考试点击查看答案A.线性区
B.非饱和区
C.饱和区
D.截止区
开始考试点击查看答案A.由一对反并联联结的普通晶闸管构成
B.正向压降小
C.额定结温高
D.高温特性好
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