A.肖特基二极管
B.晶闸管
C.电力晶体管
D.绝缘栅型电力场效应晶体管
A.SCR
B.GTR
C.Power MOSFET
D.IGBT
开始考试点击查看答案A.20度
B.30度
C.6
D.12
开始考试点击查看答案A.3
B.5
C.6
D.7
开始考试点击查看答案A.结构复杂
B.成本高
C.有直通问题,可靠性低
D.需要复杂的多组隔离驱动电路
开始考试点击查看答案A.直接耦合式
B.电感耦合式
C.间接耦合式
D.电容耦合式
开始考试点击查看答案A.阳极电压升高造成雪崩效应
B.门极电流触发
C.光触发
D.结温过高而触发
开始考试点击查看答案A.SCR
B.GTR
C.GTO
D.Power MOSFET
开始考试点击查看答案A.线性区
B.非饱和区
C.饱和区
D.截止区
开始考试点击查看答案A.由一对反并联联结的普通晶闸管构成
B.正向压降小
C.额定结温高
D.高温特性好
开始考试点击查看答案A.使晶闸管维持导通所必需的最小电流
B.如果阳极电流降至维持电流以下,则晶闸管进入正向阻断S
C.维持晶闸管反向阻断的电流
D.是通态平均电流
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