A.由一对反并联联结的普通晶闸管构成
B.正向压降小
C.额定结温高
D.高温特性好
A.线性区
B.非饱和区
C.饱和区
D.截止区
开始考试点击查看答案A.SCR
B.GTR
C.GTO
D.Power MOSFET
开始考试点击查看答案A.阳极电压升高造成雪崩效应
B.门极电流触发
C.光触发
D.结温过高而触发
开始考试点击查看答案A.肖特基二极管
B.晶闸管
C.电力晶体管
D.绝缘栅型电力场效应晶体管
开始考试点击查看答案A.SCR
B.GTR
C.Power MOSFET
D.IGBT
开始考试点击查看答案A.使晶闸管维持导通所必需的最小电流
B.如果阳极电流降至维持电流以下,则晶闸管进入正向阻断S
C.维持晶闸管反向阻断的电流
D.是通态平均电流
开始考试点击查看答案A.导通时饱和程度较浅(此处需要更改为较浅)
B.开通过程更快
C.功耗更小
D.承受电流变化的能力更强
开始考试点击查看答案A.所能处理电功害的大小是其最重要的参数
B.一般工作在开关状态
C.一般需要信息电子电路来控制
D.不仅讲究散热设计,工作时一般还需接散热器
开始考试点击查看答案A.较高的阳极电压
B.较大的阳极电压变化率
C.较高的结温
D.光直接照射硅片
开始考试点击查看答案A.输出电压平均值降低
B.整流电路的工作状态增多
C.晶闸管的di/dt减少
D.换相时晶闸管电压出现缺口
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