A.IGBT
B.MOSFET
C.GTR
D.GTO
A.正确
B.错误
开始考试点击查看答案A.0.45U2
B.0.9U2
C.1.17U2
D.2.34U2
开始考试点击查看答案A.GTO
B.BJT
C.MOSFET
D.IGBT
开始考试点击查看答案A.越大,则γ越大
B.越大,γ越大
C.当α≤90°时,α越小,γ越大
D.当α≤180°时,α越小,γ越大
开始考试点击查看答案A.正确
B.错误
开始考试点击查看答案A.40ms
B.50ms
C.20ms
D.10ms
开始考试点击查看答案A.π-α
B.π+α
C.π-δ-α
D.π+δ-α
开始考试点击查看答案A.0°~90°
B.30*~120°
C.60-~150°
D.90°~150°
开始考试点击查看答案A.负载振荡式换流
B.强迫换流
C.可关断晶闸管换流
D.大功率晶体管换流
开始考试点击查看答案A.整流电路的多重连接方法可以提高位移因数
B.凡是负载电流的相位超前于负载电压的场合,都可以实现负载换流
C.所有的整流电路都可以实现有源逆变
D.以上叙述没有正确地
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