试卷相关题目
- 1【题目ID:79】.比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是。（）。
A.IGBT
B.MOSFET
C.GTR
D.GTO
开始考试点击查看答案 - 2【题目ID:78】.在半控桥整流带大电感负载不加载二极管电路中，电路出故障时会出现失流控现象。（）
A.正确
B.错误
开始考试点击查看答案 - 3【题目ID:77】.三相半波可控整流电路带电阻负载，当触发角α=0°时，输出的负载电压平均值为（）。
A.0.45U2
B.0.9U2
C.1.17U2
D.2.34U2
开始考试点击查看答案 - 4【题目ID:76】.【多选题】以下器件属于全控型器件的是（ ）。
A.GTO
B.BJT
C.MOSFET
D.IGBT
开始考试点击查看答案 - 5【题目ID:75】.换相重叠角与其他参数关系为（）
A.
越大，则γ越大B.
越大，γ越大C.当α≤90°时，α越小，γ越大
D.当α≤180°时，α越小，γ越大
开始考试点击查看答案 - 6【题目ID:81】.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于停止导电角δ时，晶闸管的导通角Θ是（）。
A.π-α
B.π+α
C.π-δ-α
D.π+δ-α
开始考试点击查看答案 - 7【题目ID:82】.三相全控桥式整流电路带大电感负载时，控制角α的有效移相范围是（）度。
A.0°~90°
B.30*~120°
C.60-~150°
D.90°~150°
开始考试点击查看答案 - 8【题目ID:83】.（）是依靠专门的换流回路使晶闸管在需要的时刻关断。
A.负载振荡式换流
B.强迫换流
C.可关断晶闸管换流
D.大功率晶体管换流
开始考试点击查看答案 - 9【题目ID:84】.下面叙述正确的是（）。
A.整流电路的多重连接方法可以提高位移因数
B.凡是负载电流的相位超前于负载电压的场合，都可以实现负载换流
C.所有的整流电路都可以实现有源逆变
D.以上叙述没有正确地
开始考试点击查看答案 - 10【题目ID:85】.下面关于电力场效应晶体管说法正确的是（）【多选题】
A.导通电阻大，耐流水平低
B.单极性器件，开关频率kHz以上；
C.电压型驱动器件，驱动功率大；
D.通态电阻型正温度系数，对器件并联均流有利；
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