使晶闸管关断的方法有（)。

试卷相关题目

• 1晶闸管的控制电流与转折电压的关系，下列说法错误的是（）。

  A.晶闸管的控制电流越大，转折电压越小

  B.晶闸管的控制电流越小，转折电压越大

  C.晶闸管的控制电流越大，转折电压越大

  D.晶闸管的控制电流越小，转折电压越小

  开始考试点击查看答案
• 2下列哪些电路属于电力电子器件在实际应用中的系统组成部分。（）

  A.控制电路

  B.检测电路

  C.驱动电路

  D.主电路

  开始考试点击查看答案
• 3关于MOSFET的开关速度，表述正确的是（）。

  A.MOSFET不存在少子储存效应，开通关断过程非常迅速

  B.MOSFE是场控器件，静态时几乎不需输入电流，开通关断过程时间长

  C.MOSFET是场控器件，静态时需输入大电流，开通关断过程时间长

  D.MOSFE是场控型和双极型器件，开关速度快

  开始考试点击查看答案
• 4工频正弦半波电流的波形系数为（）

  A.0.45

  B.0.9

  C.1.57

  D.11

  开始考试点击查看答案
• 5晶闸管额定电流描述正确的是：（）

  A.允许流过最大工频正弦半波电流的有效值。

  B.允许流过最大工频正弦半波电流的最大值。

  C.允许流过最大工频正弦半波电流的平均值。

  D.允许流过最大方波电流的平均值。

  开始考试点击查看答案
• 6由于结电容的存在，电力二极管需要在下面（）状态进行转换。

  A.零偏置

  B.正向偏置

  C.反向偏置

  D.转向偏置

  开始考试点击查看答案
• 7下列属于晶闸管的派生器件的选项是（）。

  A.快速晶闸管

  B.双向晶闸管

  C.门极可关断晶闸管

  D.光控晶闸管

  开始考试点击查看答案
• 8在电力电子电路中，GTR工作在开关状态，即工作区和区。（）

  A.放大区

  B.截止区

  C.饱和区

  D.开关区

  开始考试点击查看答案
• 9下列选项属于MOSFET的特点有（）。

  A.开关速度快

  B.驱动频率髙

  C.爾压高

  D.驱动功率小

  开始考试点击查看答案
• 10MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区.饱和区.非饱和区分别对应后者的（）。

  A.鲤区.

  B.放大区

  C.饱和区

  D.有源区

  开始考试点击查看答案