试卷相关题目
- 1在电力电子电路中，GTR工作在开关状态，即工作区和区。（）
A.放大区
B.截止区
C.饱和区
D.开关区
开始考试点击查看答案 - 2下列属于晶闸管的派生器件的选项是（）。
A.快速晶闸管
B.双向晶闸管
C.门极可关断晶闸管
D.光控晶闸管
开始考试点击查看答案 - 3由于结电容的存在，电力二极管需要在下面（）状态进行转换。
A.零偏置
B.正向偏置
C.反向偏置
D.转向偏置
开始考试点击查看答案 - 4使晶闸管关断的方法有（)。
A.给门极施加反压
B.去掉阳极的正向电压
C.增大回路阻抗
D.给阳极施加反压
开始考试点击查看答案 - 5晶闸管的控制电流与转折电压的关系，下列说法错误的是（）。
A.晶闸管的控制电流越大，转折电压越小
B.晶闸管的控制电流越小，转折电压越大
C.晶闸管的控制电流越大，转折电压越大
D.晶闸管的控制电流越小，转折电压越小
开始考试点击查看答案 - 6MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区.饱和区.非饱和区分别对应后者的（）。
A.鲤区.
B.放大区
C.饱和区
D.有源区
开始考试点击查看答案 - 7晶闸管的开通过程中，下列说法正确的是（ ）
A.延迟时间
为门极电流阶跃开始到阳极电流上升至稳态值的10%。B.延迟时间随门极电流的增大而减小。
C.上升时间
为阳极电流从10%上升至稳态值的90%所用时间。D.降低阳极电压，延迟时间和上升时间都可显著缩短
开始考试点击查看答案 - 8在电力电子器件的应用中，附加各种缓冲电路的目的包括（）。
A.降低 du/dt 和 di/dt
B.减少器件的开关损耗
C.避免器件损坏
D.减少浪涌电压
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