MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区.饱和区.非饱和区分别对应后者的（）。

试卷相关题目

• 1下列选项属于MOSFET的特点有（）。

  A.开关速度快

  B.驱动频率髙

  C.爾压高

  D.驱动功率小

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• 2在电力电子电路中，GTR工作在开关状态，即工作区和区。（）

  A.放大区

  B.截止区

  C.饱和区

  D.开关区

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• 3下列属于晶闸管的派生器件的选项是（）。

  A.快速晶闸管

  B.双向晶闸管

  C.门极可关断晶闸管

  D.光控晶闸管

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• 4由于结电容的存在，电力二极管需要在下面（）状态进行转换。

  A.零偏置

  B.正向偏置

  C.反向偏置

  D.转向偏置

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• 5使晶闸管关断的方法有（)。

  A.给门极施加反压

  B.去掉阳极的正向电压

  C.增大回路阻抗

  D.给阳极施加反压

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• 6晶闸管的开通过程中，下列说法正确的是（ ）

  A.延迟时间为门极电流阶跃开始到阳极电流上升至稳态值的10%。

  B.延迟时间随门极电流的增大而减小。

  C.上升时间为阳极电流从10%上升至稳态值的90%所用时间。

  D.降低阳极电压，延迟时间和上升时间都可显著缩短

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• 7在电力电子器件的应用中，附加各种缓冲电路的目的包括（）。

  A.降低 du/dt 和 di/dt

  B.减少器件的开关损耗

  C.避免器件损坏

  D.减少浪涌电压

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