下面晶闸管的派生器件里，（）经常用于交流调压电路。

试卷相关题目

• 1晶闸管导通过程中，如果阳极电流达到（）值，门极触发电流就可以撤掉，管子仍继续导通。

  A.额定电流

  B.擎住电流

  C.维持电流

  D.浪涌电流

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• 2某电路中需要承受的反向最高峰值电压为220V,考虑2倍裕量，选择额定电压U为（）的品闻管。

  A.220A

  B.282A

  C.440A

  D.564A

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• 3某品闸管额定电流为200A,那么考虑2倍裕量，在电路中允许长期流过的实际电流的有效值I为（）.

  A.100A

  B.157A

  C.200A

  D.400A

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• 4下列器件中，（）是半控型器件。

  A.电力二极管

  B.晶闸管

  C.电力MOSFET

  D.IGBT

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• 5在系统开关频率不高（如工频）的情况下，（）是电力电子器件功率损耗的主要成因。

  A.开通损耗

  B.关断损耗

  C.通态损耗

  D.开关损耗

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• 6下面晶闸管的派生器件里，（）相当于将一个晶闸管与-一个二极管反并联。

  A.快速晶闸管

  B.双向晶闸管

  C.逆导晶闸管

  D.光控晶闸管

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• 7下面的晶闸管中，（）在高压大功率的场合，如高压直流输电和高压核聚变装置中，占据重要的地位。

  A.快連晶闸管

  B.双向晶闸管

  C.逆导晶闸管

  D.光控晶闸管

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• 8下列器件中，（）的开关频率是最高的。

  A.晶闸管

  B.电力MOSFET

  C.IGBT

  D.GTO

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• 9使用或储存电力MOSFET时，要注意栅源极间电压限制在（）以内。

  A.20

  B.40

  C.50

  D.100

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• 10智能功事模块IPM往往专指（）及其辅助器件与其保护和驱动电路的越装期成动

  A.晶闸管

  B.电力MOSFET

  C.IGBT

  D.GTO

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