智能功率模块IPM往往专指（）及其辅助器件与其保护和驱动电路的集成

试卷相关题目

• 1使用或储存电力MOSFET时，要注意栅源极间电压限制在（）以内。

  A.20

  B.40

  C.50

  D.100

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• 2下列器件中，（）的开关频率是最高的。

  A.晶闸管

  B.电力MOSFET

  C.IGBT

  D.GTO

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• 3下面的晶闸管中，（）在高压大功率的场合，如高压直流输电和高压核聚变装置中，占据重要的地位。

  A.快連晶闸管

  B.双向晶闸管

  C.逆导晶闸管

  D.光控晶闸管

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• 4下面晶闸管的派生器件里，（）相当于将一个晶闸管与-一个二极管反并联。

  A.快速晶闸管

  B.双向晶闸管

  C.逆导晶闸管

  D.光控晶闸管

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• 5下面晶闸管的派生器件里，（）经常用于交流调压电路。

  A.快速晶闸管

  B.双向晶闸管

  C.逆导晶闸管

  D.光控晶闸管

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• 620世纪90年代中期以来，逐渐形成了小功事（10kW以下）场合以（）为主的周面，

  A.晶闸管

  B.电力MOSFET

  C.IGBT

  D.GTO

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• 7很多专家都认为，在未来十年内（）.都将保持其在电力电子技术尹的重要地位。

  A.晶闸管

  B.电力MOSFET

  C.IGBT

  D.GTO.

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• 8下列新型电力电子器件中，（）工作频率与电力MOSFET机当,功率容量比电力MOSFET大，因而适用于高频大功串场合。

  A.MCT

  B.SIT

  C.SItH

  D.IGCT

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• 9

  下列新型电力电子器件中，（）正在与IGBT竞争，试图取代GTO在兆瓦级以上场合的地位。

  A.MCT

  B.SIT

  C.SITH

  D.IGCT

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• 1020世纪80年代中后期，出现模块化趋势。将器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断等信息电子电路制作在同一芯片上，称为（）

  A.功率模块

  B.功率集成电路

  C.智能NGBTS

  D.高压集成电路

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