使用或储存电力MOSFET时，要注意栅源极间电压限制在（）以内。

试卷相关题目

• 1下列器件中，（）的开关频率是最高的。

  A.晶闸管

  B.电力MOSFET

  C.IGBT

  D.GTO

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• 2下面的晶闸管中，（）在高压大功率的场合，如高压直流输电和高压核聚变装置中，占据重要的地位。

  A.快連晶闸管

  B.双向晶闸管

  C.逆导晶闸管

  D.光控晶闸管

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• 3下面晶闸管的派生器件里，（）相当于将一个晶闸管与-一个二极管反并联。

  A.快速晶闸管

  B.双向晶闸管

  C.逆导晶闸管

  D.光控晶闸管

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• 4下面晶闸管的派生器件里，（）经常用于交流调压电路。

  A.快速晶闸管

  B.双向晶闸管

  C.逆导晶闸管

  D.光控晶闸管

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• 5晶闸管导通过程中，如果阳极电流达到（）值，门极触发电流就可以撤掉，管子仍继续导通。

  A.额定电流

  B.擎住电流

  C.维持电流

  D.浪涌电流

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• 6智能功事模块IPM往往专指（）及其辅助器件与其保护和驱动电路的越装期成动

  A.晶闸管

  B.电力MOSFET

  C.IGBT

  D.GTO

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• 720世纪90年代中期以来，逐渐形成了小功事（10kW以下）场合以（）为主的周面，

  A.晶闸管

  B.电力MOSFET

  C.IGBT

  D.GTO

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• 8很多专家都认为，在未来十年内（）.都将保持其在电力电子技术尹的重要地位。

  A.晶闸管

  B.电力MOSFET

  C.IGBT

  D.GTO.

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• 9下列新型电力电子器件中，（）工作频率与电力MOSFET机当,功率容量比电力MOSFET大，因而适用于高频大功串场合。

  A.MCT

  B.SIT

  C.SItH

  D.IGCT

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• 10下列新型电力电子器件中，（）正在与IGBT竞争，试国取化GTO在兆瓦级以上场合的地位。

  A.MCT

  B.SIT

  C.SITH

  D.IGCT

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