A.晶闸管的控制电流越大,转折电压越小
B.晶闸管的控制电流越小,转折电压越大
C.晶闸管的控制电流越大,转折电压越大
D.晶闸管的控制电流越小,转折电压越小
A.控制电路
B.检测电路
C.驱动电路
D.主电路
开始考试点击查看答案A.通态压降降低
B.通态损耗下降
C.关断时间延长
D.开关损耗下降
开始考试点击查看答案A.
B.
C.
D.
开始考试点击查看答案A.GTR 驱动的 MOSFET
B.MOSFET 驱动的 GTR
C.MOSFET驱动的晶闸管
D.MOSFET 驱动的 GTO
开始考试点击查看答案A.在栅极加正电压
B.在集电极加正电压
C.在栅极加负电压
D.在集电极加负电压
开始考试点击查看答案A.给门极施加反压
B.去掉阳极的正向电压
C.增大回路阻抗
D.给阳极施加反压
开始考试点击查看答案A.零偏置
B.正向偏置
C.反向偏置
D.转向偏置
开始考试点击查看答案A.快速晶闸管
B.双向晶闸管
C.门极可关断晶闸管
D.光控晶闸管
开始考试点击查看答案A.放大区
B.截止区
C.饱和区
D.开关区
开始考试点击查看答案下列选项属于MOSFET的特点有()。
A.开关速度快
B.驱动频率髙
C.电压高
D.驱动功率小
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