试卷相关题目
- 1晶闸管的控制电流与转折电压的关系，下列说法错误的是（）。
A.晶闸管的控制电流越大，转折电压越小
B.晶闸管的控制电流越小，转折电压越大
C.晶闸管的控制电流越大，转折电压越大
D.晶闸管的控制电流越小，转折电压越小
开始考试点击查看答案 - 2下列哪些电路属于电力电子器件在实际应用中的系统组成部分。（）
A.控制电路
B.检测电路
C.驱动电路
D.主电路
开始考试点击查看答案 - 3电导调制效应对半导体器件的影响不包括（)
A.通态压降降低
B.通态损耗下降
C.关断时间延长
D.开关损耗下降
开始考试点击查看答案 - 4晶闸管的临界导通条件为（）
A.
B.
C.
D.
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- 5IGBT是一个复合型的器件，它是（）。
A.GTR 驱动的 MOSFET
B.MOSFET 驱动的 GTR
C.MOSFET驱动的晶闸管
D.MOSFET 驱动的 GTO
开始考试点击查看答案 - 6由于结电容的存在，电力二极管需要在下面（）状态进行转换。
A.零偏置
B.正向偏置
C.反向偏置
D.转向偏置
开始考试点击查看答案 - 7下列属于晶闸管的派生器件的选项是（）。
A.快速晶闸管
B.双向晶闸管
C.门极可关断晶闸管
D.光控晶闸管
开始考试点击查看答案 - 8在电力电子电路中，GTR工作在开关状态，即工作区和区。（）
A.放大区
B.截止区
C.饱和区
D.开关区
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下列选项属于MOSFET的特点有（）。
A.开关速度快
B.驱动频率髙
C.电压高
D.驱动功率小
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MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区.饱和区.非饱和区分别对应后者的（）。
A.不饱和区
B.放大区
C.饱和区
D.有源区
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