试卷相关题目
- 1使晶闸管关断的方法有（)。
A.给门极施加反压
B.去掉阳极的正向电压
C.增大回路阻抗
D.给阳极施加反压
开始考试点击查看答案 - 2晶闸管的控制电流与转折电压的关系，下列说法错误的是（）。
A.晶闸管的控制电流越大，转折电压越小
B.晶闸管的控制电流越小，转折电压越大
C.晶闸管的控制电流越大，转折电压越大
D.晶闸管的控制电流越小，转折电压越小
开始考试点击查看答案 - 3下列哪些电路属于电力电子器件在实际应用中的系统组成部分。（）
A.控制电路
B.检测电路
C.驱动电路
D.主电路
开始考试点击查看答案 - 4电导调制效应对半导体器件的影响不包括（)
A.通态压降降低
B.通态损耗下降
C.关断时间延长
D.开关损耗下降
开始考试点击查看答案 - 5晶闸管的临界导通条件为（）
A.
B.
C.
D.
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- 6下列属于晶闸管的派生器件的选项是（）。
A.快速晶闸管
B.双向晶闸管
C.门极可关断晶闸管
D.光控晶闸管
开始考试点击查看答案 - 7在电力电子电路中，GTR工作在开关状态，即工作区和区。（）
A.放大区
B.截止区
C.饱和区
D.开关区
开始考试点击查看答案 - 8
下列选项属于MOSFET的特点有（）。
A.开关速度快
B.驱动频率髙
C.电压高
D.驱动功率小
开始考试点击查看答案 - 9
MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区.饱和区.非饱和区分别对应后者的（）。
A.不饱和区
B.放大区
C.饱和区
D.有源区
开始考试点击查看答案 - 10晶闸管的开通过程中，下列说法正确的是（ X
A.延迟时间
为门极电流阶跃开始到阳极电流上升至稳态值的10%。B.延迟时间随门极电流的增大而减小。
C.上升时间
为阳极电流从10%上升至稳态值的90%所用时间。D.降低阳极电压，延迟时间和上升时间都可显著缩短
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