A.变压器双向励磁
B.变压器一次侧电流 回路中只有一个开关,通态损耗较小
C.驱动简单
D.电路简单
A.有直通问题,可靠性低的
B.需要复杂的隔离驱动电路
C.开关较多
D.成本高
开始考试点击查看答案A.脉冲宽度调制
B.频率调制
C.混合型
D.载波调制
开始考试点击查看答案A.器件换流
B.电网换流
C.负载换流
D.强迫换流
开始考试点击查看答案A.不可控
B.半控
C.全控
D.单向
E.双向
开始考试点击查看答案强迫换流从耦合方式上来看,分为( ) 和()。
A.直接耦合式
B.电感耦合式
C.间接耦合式
D.电容耦合式
开始考试点击查看答案A.GTO
B.GTR
C.Power MOSFET
D.IGBT
开始考试点击查看答案A.晶闸管
B.GTO
C.Power MOSFET
D.GTR
开始考试点击查看答案A.GTO采用多元集成结构
B.门极和阴极之间的距离短
C.导通时饱和程度较晶闸管低
D.导通时饱和程度较晶闸管高
开始考试点击查看答案A.电压驱动型
B.驱动功率小
C.只适用于小功率场合
D.单极型
开始考试点击查看答案A.一般通过施加反压的方法来让晶闸管关断
B.GTO的额定电流定义为“最大可关断阳极电流”
C.MOSFET工作在饱和区和截止区
D.IGBT工作在非饱和区和正向阻断区
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