POWER MOSFET的特点是（ ）。

试卷相关题目

• 1GTO是全控型器件的原因是（）。

  A.GTO采用多元集成结构

  B.门极和阴极之间的距离短

  C.导通时饱和程度较晶闸管低

  D.导通时饱和程度较晶闸管高

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• 2具有四层半导体结构的器件有（）。

  A.晶闸管

  B.GTO

  C.Power MOSFET

  D.GTR

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• 3下列电力电子器件电，存在电导调制效应的是（ ）。

  A.GTO

  B.GTR

  C.Power MOSFET

  D.IGBT

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• 4下列选项中属于间接推挽直流变流电路的优点有（）。

  A.变压器双向励磁

  B.变压器一次侧电流 回路中只有一个开关，通态损耗较小

  C.驱动简单

  D.电路简单

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• 5下列选项中属于间接半桥直派变流电路的缺点有（ ）。

  A.有直通问题，可靠性低的

  B.需要复杂的隔离驱动电路

  C.开关较多

  D.成本高

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• 6关于电力电子器件的描述，下 列说法中不正确的有（ ）。

  A.一般通过施加反压的方法来让晶闸管关断

  B.GTO的额定电流定义为“最大可关断阳极电流”

  C.MOSFET工作在饱和区和截止区

  D.IGBT工作在非饱和区和正向阻断区

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• 7

  下列相控整流电路中心存在变压器直流磁化问题的是（ ）。

  A.单相半波可控整流电路

  B.单相桥式全控整流电路

  C.三相半波可控整流电路

  D.三相桥式全控整流电路

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• 8下列电力电子器件属于全控型器件的是（）。

  A.SCR

  B.GTO

  C.MOSFET

  D.IGBT

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• 9GBT是（）和（）的复合管。

  A.GTO

  B.GTR

  C.MOSFET

  D.SCR

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• 10关于三相电压型桥式逆变电路的说法，正确的是（ ）。

  A.其直流侧可以看作一个直流电压源

  B.同一个桥臂上下两管可以同时导通

  C.每个开关器件导通180°

  D.其负载相电压中不含3次谐波

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