具有四层半导体结构的器件有（）。

试卷相关题目

• 1下列电力电子器件电，存在电导调制效应的是（ ）。

  A.GTO

  B.GTR

  C.Power MOSFET

  D.IGBT

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• 2下列选项中属于间接推挽直流变流电路的优点有（）。

  A.变压器双向励磁

  B.变压器一次侧电流 回路中只有一个开关，通态损耗较小

  C.驱动简单

  D.电路简单

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• 3下列选项中属于间接半桥直派变流电路的缺点有（ ）。

  A.有直通问题，可靠性低的

  B.需要复杂的隔离驱动电路

  C.开关较多

  D.成本高

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• 4斩波电路的控制方式有（ ）。

  A.脉冲宽度调制

  B.频率调制

  C.混合型

  D.载波调制

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• 5换流的方式有（）。

  A.器件换流

  B.电网换流

  C.负载换流

  D.强迫换流

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• 6GTO是全控型器件的原因是（）。

  A.GTO采用多元集成结构

  B.门极和阴极之间的距离短

  C.导通时饱和程度较晶闸管低

  D.导通时饱和程度较晶闸管高

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• 7POWER MOSFET的特点是（ ）。

  A.电压驱动型

  B.驱动功率小

  C.只适用于小功率场合

  D.单极型

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• 8关于电力电子器件的描述，下 列说法中不正确的有（ ）。

  A.一般通过施加反压的方法来让晶闸管关断

  B.GTO的额定电流定义为“最大可关断阳极电流”

  C.MOSFET工作在饱和区和截止区

  D.IGBT工作在非饱和区和正向阻断区

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• 9

  下列相控整流电路中心存在变压器直流磁化问题的是（ ）。

  A.单相半波可控整流电路

  B.单相桥式全控整流电路

  C.三相半波可控整流电路

  D.三相桥式全控整流电路

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• 10下列电力电子器件属于全控型器件的是（）。

  A.SCR

  B.GTO

  C.MOSFET

  D.IGBT

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