A.一般通过施加反压的方法来让晶闸管关断
B.GTO的额定电流定义为“最大可关断阳极电流”
C.MOSFET工作在饱和区和截止区
D.IGBT工作在非饱和区和正向阻断区
A.电压驱动型
B.驱动功率小
C.只适用于小功率场合
D.单极型
开始考试点击查看答案A.GTO采用多元集成结构
B.门极和阴极之间的距离短
C.导通时饱和程度较晶闸管低
D.导通时饱和程度较晶闸管高
开始考试点击查看答案A.晶闸管
B.GTO
C.Power MOSFET
D.GTR
开始考试点击查看答案A.GTO
B.GTR
C.Power MOSFET
D.IGBT
开始考试点击查看答案A.变压器双向励磁
B.变压器一次侧电流 回路中只有一个开关,通态损耗较小
C.驱动简单
D.电路简单
开始考试点击查看答案下列相控整流电路中心存在变压器直流磁化问题的是( )。
A.单相半波可控整流电路
B.单相桥式全控整流电路
C.三相半波可控整流电路
D.三相桥式全控整流电路
开始考试点击查看答案A.SCR
B.GTO
C.MOSFET
D.IGBT
开始考试点击查看答案A.GTO
B.GTR
C.MOSFET
D.SCR
开始考试点击查看答案A.其直流侧可以看作一个直流电压源
B.同一个桥臂上下两管可以同时导通
C.每个开关器件导通180°
D.其负载相电压中不含3次谐波
开始考试点击查看答案A.输出波形中谐波的含量
B.输出电压的幅值日
C.直流电压的利用率
D.器件开关次数
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